苏州大学孙宝全教授：萘酰亚胺基N型聚合物用于高性能有机异质结太阳能电池的有效背接触

近日，苏州大学孙宝全课题组首次将非富勒烯共轭聚合物材料F-N2200应用于硅有机杂化电池的背极，达到改善硅和铝之间的接触问题，成功将电池效率从原来的12.6%提升到14.5%。通过结合密度泛函理论模拟，证实了在提升硅和有机材料间的接触质量中聚合物取向起到了重要作用。该研究以“Naphthalene Diimide-Based n‑Type Polymers:Efficient Rear Interlayers for High-Performance Silicon−Organic Heterojunction Solar Cells ”为题发表在ACS Nano上。

图1：器件结构、J-V曲线和EQE曲线

(a).硅/有机太阳能电池的结构图；

(b).器件在AM1.5G，100Mw cm-2条件下的J-V曲线；

(c).器件在无光照下的J-V曲线；

(d).有聚合物夹层和没有聚合物夹层器件的EQE曲线对比。

图2：两种聚合物的分子结构

(a).N2200和F-N2200聚合物的合成路径，和分子结构；

(b).N2200聚合物生长在硅上的2D-GIWAXS图像；

(c).F-N2200聚合物生长在硅上的2D-GIWAXS图像；

(d).生长在硅结构上N2200的分子间平面堆积的原理图；

(e).生长在硅结构上F-N2200的分子间平面堆积的原理图。

图3：两种聚合物的密度泛函模拟图

(a).生长在硅上的N2200的三维密度泛函模拟图；

(b).生长在硅上的F-N2200的三维密度泛函模拟图。

图4：不同铝电极面积（不同铝电极直径分别为1,0.8,0.5,0.3,0.2,0.1cm）的器件结构图和I-V曲线

(a).没有有机夹层情况下，器件的结构图和不同铝电极面积下的I-V曲线；

(b).硅铝之间有N2200夹层，器件的结构图和不同铝电极面积下的I-V曲线；

(c). 硅铝之间有F-N2200夹层，器件的结构图和不同铝电极面积下的I-V曲线。

图5：Si、Si/N2200、Si/F-N2200的少数载流子寿命和SKPM

(a). Si、Si/N2200、Si/F-N2200的少数载流子寿命的映射图，映射面积为1cm×1cm，注射水平约为2×1017cm-3；

(b).Si/F-N2200的表面电位差SKMP映射图。

作者利用共轭聚合物F-N2200改善了硅-铝电极的接触问题，成功地提高硅-有机杂化太阳能电池效率，并且用密度泛函理论证实了聚合物取向在提升硅与有机物接触质量上起重要作用。

论文链接：

http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.7b03090

来源：材料人

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