技术革新与商业并购，存储芯片50年产业史复盘

半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业，集成电路又分为逻辑、模拟和存储等细分行业。在半导体行业中，最重要的方向莫过于存储器。其应用领域广泛，几乎所有常见的电子设备都需要使用存储器。根据WSTS 2019年11月估计数据， 2019年全球半导体行业的整体规模在4000亿美元以上，存储器的市场规模超过1000亿，是半导体中规模最大的子行业，占比超过1/4。

• 1967年，江大原和施敏博士共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。
• 1970年，Dove Frohman发明了第一款浮栅型器件——EPROM，通过照射紫外线光擦除。
• 1981年，Eli Harari发明了世界上首个电可编程和可擦除存储器——EEPROM。
• 1984年，Masuoka博士在综合电子设备大会上正式介绍了闪存。
• 1986年，英特尔推出了闪存卡概念，成立了专注于SSD的部门。
• 1987年，Masuoka博士发明了NAND闪存，即2D NAND。
• 1988年，英特尔推出首款商用闪存芯片，成功取代EPROM产品，主要用于存储计算机软件。
• 1989年，英特尔发售NOF Flash。随后三星和东芝各自推出NAND Flash。
• 1991年，SunDisk推出首款基于闪存的ATA SSD，容量为20MB。
• 1995年，SunDisk推出了34MB 串行NOF Flash，这是首款面向SSD应用的MLC闪存芯片。
• 1996年，东芝推出了SmartMedia存储卡(固态软盘卡)。三星开始发售NAND闪存。
• 2004年，NAND的价格首次基于同等密度降至DRAM之下,成本效应将闪存代入计算领域。
• 2005年，NAND总发售容量超过DRAM。
• 2007年，闪存营收破$220B(NAND营收$14.5B)。Apple推出了配置4/8GB闪存的iPhone
• 2012年，三星创造了3DNAND，推出第一代3D NAND闪存芯片， 32层SLC V-NANDSSD——850PRO。
• 2013年，三星推出24层3D VNAND，并在美国闪存峰会上展示了1TB SSD。
• 2014年，三星， SanDisk和东芝宣布推出3D NAND生产设备;三星开始发售32层 MLC3D V-NAND——850 EV。
• 2015年，东芝和SanDisk推出48层3D NAND;英特尔和美光推出384GB 3DNAND;三星推出首款NVMe m.2固态硬盘和48层 VNAND。
• 2016年，东芝发售用于iPhone 7的48层TLC NAND;英特尔着手向企业级市场发售3D NAND产品,而美光则改道消费级市场发售SS。
• 2017年，SK海力士发售72层3DNAND;三星与东芝/西部数据发售96层3DNAND。
• 2018年，国家集成电路产业投资基金一期对半导体行业投资1387亿元;长江存储量产32层3DNAND芯片，计划在2020年跳过96层3DNAND，直接进入128层。
  
  

• 在2013年Q4以前， 三星、 铠侠、 美光、 海力士和英特尔为5家最大NAND Flash原厂厂家， 几乎占据了全部NAND Flash颗粒市场。
• 2013年Q4到2017年Q3之间， 西部数据作为另一大NAND Flash原厂厂家加入了竞争并占据显著的市场份额， 铠侠的市占率由此下降了约10%， 三星下降了约5%。
• 2017年Q3以后， 包括长江存储在内的其余厂商逐渐占据一定的市场份额， 打破几乎被前6家大厂垄断的市场格局。
  

• 1969年美国公司Advanced Memory 正式推出首款商业化1K DRAM。
• 1970 年 英 特 尔和 TI 是 市 场 上的主要玩家。
• 从TI离职的工程师创建了Mostek， 在1970年代后期， Mostek一度占据全球DRAM市场85%的份额。
  
  

• 为攻美国技术壁垒， 1976年日本日立、 三菱、 富士通、 东芝和NEC五大公司联合研究机构联合研 发 DRAM ， 投 资 720 亿 日 元 。1980年研发成功， DRAM量产良率达到80%， 远超美国的50%， 奠定了日本在DRAM市场的霸主地位。
• 日本挑起价格战，降价幅度层高达90%，到1986年时，日本厂商在世界DRAM市场市占率高达80%。美国企业压力巨大，因特尔1985年退出DRAM市场， TI在1998年将存储业务卖给美光。
• 日本经济在1990年初到达巅峰后开始衰落， 1999年NEC和日立合并了DRAM业务，成立了尔必达；富士通退出了DRAM业务；2001年东芝将DRAM业务卖给美光；2003年尔必达吸收了三菱的DRAM业务；2012年尔必达破产后被美光收购。

• 韩国存储企业的发展也采用了日本的模式，1986年三星、 LG、现代和韩国的六所大学联合攻关DRAM核心技术。1992年三星超越了日本的NEC，首次成为世界第一大DRAM内存制造商，在其后至今的28年里一
  直保持世界第一的位置。
• 1999年韩国现代半导体和LG半导体合并， 2001年更名为海力士，在金融危机时海力士陷入破产边缘，在SK的支持下度过难关，并于2012年更名为SK海力士。
• 西门子的DRAM技术来自于和美国的IBM、摩托罗拉的合作， 1999年将其半导体部门分拆成立英飞凌， 2006年英飞凌将存储业务分拆成立奇梦达（Qimonda），但奇梦达未能成功渡过经济危机，已于2009年破产。

目前， DRAM芯片的市场格局是由三星、 SK海力士和美光统治，三大巨头市场占有率合计已超过95%，而三星一家公司市占率就已经逼近50%。寡头垄断的格局使得中国企业对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。国内DRAM的先进厂商为合肥长鑫，公司存储内存芯片自主制造项目宣布投产，一期设计产能每月12万片晶圆,目前已经实现对外供货。