英飞凌推出30W-500W快充应用CoolGaN氮化镓产品
采用氮化镓（GaN）这种宽禁带（WBG）材料制成的功率开关凭借其出色的效率及高速切换频率，开启了功率电子的新时代。顺应这一发展趋势，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出集成式功率级（IPS）产品 CoolGaN IPS 系列，成为旗下众多 WBG 功率元件组合的最新产品。IPS 基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源（SMPS）。
英飞凌600 V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。 外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。 此产品包含两个 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型 （e-mode） HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。
代表产品为英飞凌600V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L，适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8 QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140 mΩ / 600 V CoolGaN 增强型（e-mode）HEMT 开关以及英飞凌 EiceDRIVER系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。
隔离栅极驱动器拥有两个数字 PWM 输入，让 IGI60F1414A1L 更易于控制。为了达到缩短开发时间、减少系统物料清单项目和降低总成本等目标，利用集成隔离功能、明确分隔数字和电源接地以及简化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。栅极驱动器采用英飞凌的单芯片无磁芯变压器（CT）技术，将输入与输出有效隔离。 即便在电压上升或下降速率超过 150 V/ns 的超快速切换瞬时下，仍可确保高速特性和杰出的稳定性。
IGI60F1414A1L的切换特性可以简易地根据不同的应用借由一些栅极路径的被动元件诸如阻容器件实现。例如，此特性可使电流或电压速率优化，以降低电磁干扰（EMI）效应、稳态栅极电流调整和负栅极电压驱动，在硬切换开关应用中稳定运行。
此外，系统级封装集成和栅极驱动器具备的高精度和稳定的传输延迟，可让IGI60F1414A1L提供最低的系统死区时间。 这将有助于系统效率极大化，使充电器和适配器解决方案的功率密度提升至更高水平，达到35W/in³。 灵活、简单及快速的设计特色，也适用于如LLC谐振拓扑结构、马达驱动器等其他应用。
英飞凌600V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L可用于高功率密度的USB PD适配器，适用于AFC反激和LLC半桥谐振。
英飞凌600V CoolGaN 半桥式 IPS IGI60F1414A1L只有8*8mm封装，在高密度充电器中使用，可以大幅减小面积占用，相比其他单管半桥方案占用面积大大减少。同时无需增加顶部散热措施。
充电头网归纳的英飞凌快充电源产品线布局，涵盖了从功率器件到控制器到协议芯片及多口控制和数据线中的E-Marker芯片。
供货情况方面，采用加强散热型8x8QFN-28封装的IGI60F1414A1L已开放订购。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
峰会预告
7月30日，2021全球第三代半导体快充产业峰会将在深圳举办，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。如有参展需求，请联系邮箱：info@chongdiantou.com
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