世界氮化镓日揭晓！

7月31日，世界氮化镓日。

去年充电头网联合众多第三代半导体产业链企业，发起了世界氮化镓日。这一纪念日还有一个小故事，其中氮在元素周期表排序第7位，镓排序第31位，因此得名，并获得行业认可。

每年7月31日前后，第三代半导体行业将会举行盛大的庆祝活动，覆盖产学研多个领域的全球规模盛会，用于纪念氮化镓、碳化硅新技术在众多领域的革新应用。

其中，2021全球第三代半导体快充产业峰会，正是世界氮化镓日期间的主题活动之一，这也是全球初具规模的大型活动，首次举办就获得了60多家企业响应，近2000人报名参加。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。

1871年，德米特里 · 门捷列夫（Dmitri Mendeleev）预测了镓的存在。

1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名。纯氮化镓的熔点只有30摄氏度(86华氏度) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。

1928年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高200℃。

1950年，第一只“PN结型晶体管”问世了，它的性能与萧克利原来设想的完全一致。此前萧克利提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想。今天的晶体管，大部分仍是这种PN结型晶体管。

1958年，两大公司的大佬分别发明了半导体集成电路，一同开创了世界微电子学的历史。一个是大名鼎鼎的仙童公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）发明了锗集成电路；另一家是德仪公司的杰克·基尔比（Jack Kilby）发明了硅集成电路，两者仅间隔数月。

1972年，基于氮化镓材质的 LED 发光二极管才被发明出来（使用掺有镁的氮化镓）。这是里程碑式的历史事件。虽然最初的氮化镓 LED ，亮度还不足以商用，但这是人类第一次制备出能够发出蓝紫色光的LED。

1986年，赤崎勇和天野浩师徒首次制成高质量的氮化镓晶体，他们所采用的方法是在蓝宝石衬底上涂上一层氮化铝材料，并在上面生长氮化镓晶体。

在创设p层的工作上取得突破性进展之后，到了1992年，他们终于制成第一个发蓝光的二极管。蓝光LED发明者中村修二、赤崎勇和天野浩获得了诺贝尔物理学奖。

1993年，中村修二对赤崎勇、天野浩师徒的研究提出正确的理论解释，并独立发明以InGaN晶体制作蓝色发光元件的双流式MOCVD方法，使得高亮度蓝色发光二极管正式实用化，这开启爱迪生发明白炽灯之后的又一次人类照明革命。

2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效能、高电压的射频基础设施。

2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体MOSFET在硅衬底上形成得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。

2018年，氮化镓大规模应用于快充，从此充电器进入氮化镓时代，一发不可收。

2021年，距首次预测镓的存在150年后，氮化镓迎来了自己的生日，氮化镓日诞生。

未来，氮化镓将助力全球实现碳达峰碳中和，氮化镓的历史，你我一起见证。

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