氮矽科技推出4套国产GaN快充参考设计
2020（冬季）USB PD＆Type-C亚洲展12月18日成功举办，数十家芯片原厂借此展会发布了USB PD＆Type-C快充新品，最新的快充芯片、方案、成品，以及快充配套的元器件琳琅满目，现场十分火爆。
成都氮矽科技有限公司作为参展商出席本次展会，推出了4套基于国产GaN器件的快充参考设计，分别为65W迷你PD快充，65W 1A1C氮化镓快充、65W 2C1A氮化镓快充、120W 2C1A氮化镓快充，下面就来看看这四套方案有什么特色吧。
一、氮矽科技65W迷你PD快充
氮矽科技65W迷你PD快充采用南芯SC3021PWM控制器，该芯片支持直接驱动GaN开关管，无需另外增加GaN驱动器，可简化电路设计。初级开关管为氮矽DXE65H010D，全球最小的GaN器件，次级同步整流为南芯SC3503，协议芯片是南芯的SC2151A。
氮矽科技DXE65H010D160是增强型硅基氮化镓功率管，采用倒装和RDL重布线工艺，PDDFN封装尺寸只有4*4*0.5mm，导阻160mΩ，其热阻相当于TO252封装，封装大小仅为TO252的1/4，且寄生参数远低于TO252封装，并且采用全新的双面散热设计，提升散热性能。适用于高功率高频率的PD快充以及PFC，LLC等大功率，高频率应用。
氮矽65W迷你PD快充采用输入小板和输出小板垂直焊接的形式。
氮矽65W迷你PD快充使用了全球最小的氮矽DXE65H010D 氮化镓开关管。
氮矽DXE65H010D展示，封装非常小。
二、氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充
氮矽科技 65W 1A1C氮化镓快充，初级采用南芯SC3022 PWM控制器，搭配氮矽DX1001氮化镓驱动器，驱动氮矽DXE65H015B氮化镓开关管，次级采用南芯SC3503同步整流。充电器采用恒定电压输出，二次降压的方式，输出采用智融SW3510+SW3516做双口输出，其中协议小板未焊接。
氮矽科技DXE65H015B120是增强型硅基氮化镓功率管，采用TO252封装，导阻120mΩ，适用于高功率高频率的PD快充以及PFC，LLC等大功率，高频率应用。
这款适配器采用的是未内置驱动的PWM控制器，加入了一颗氮矽科技的GaN驱动器DX1001，用于驱动GaN功率管，PCB板背面元件非常简洁。
氮矽科技DX1001是一款针对5V驱动而优化的单通道高速驱动器，采用独立拉灌，可针对不同器件配置，优化导通和关断时间。DX1001采用双输入设计，灵活实现同相和反相配置。引脚布局与GaN器件优化，方便布线。支持工业级宽温，适用于开关电源，AC-DC，DC-DC转换器，同步整流驱动，逆变器等场合应用。
三、氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充
氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充，初级采用安森美NCP1342 PWM控制器，并由氮矽DX1001氮化镓驱动器驱动氮矽DXE65H015B氮化镓开关管，次级采用MPS MP6908A做同步整流。充电器采用恒定电压输出，二次降压的方式，输出采用两颗智融SW3516实现2C1A三口输出。
适配器采用降压小板垂直焊接的方式，充分利用内部空间。采用智融SW3516内置协议的降压控制器，支持多口输出智能控制输出功率。
氮矽科技65W 2C1A氮化镓快充电路板背面元件非常简洁。
四、氮矽科技120W 2C1A氮化镓快充
氮矽科技120W 2C1A氮化镓快充采用PFC+LLC的架构，PFC采用安森美NCP1616控制器搭配氮矽DX1001驱动氮矽DXE65H015B氮化镓开关管升压，LLC采用安森美NCP13992控制器搭配两颗氮矽DX1001驱动两颗氮矽DXE65H015B氮化镓开关管进行LLC谐振，同步整流采用两颗安森美NCP4306控制器。定压输出，2C1A输出采用两颗智融SW3516做降压输出，尺寸为90*51*25mm。
氮矽科技120W 2C1A氮化镓快充采用控制芯片小板垂直焊接的结构，简化设计，输出降压小板未焊接。
得益于控制小板和输出小板垂直焊接，主板背面元件简洁，只有开关元件，简化生产工艺。
充电头网总结
氮矽一系列氮化镓器件的推出，为PD快充产品的开发带来了新的选择，其PDDFN4*4封装仅有DFN8*8封装的1/4大小，搭配内置GaN驱动的控制器可简化初级电路设计，倒装重布线工艺可提升散热性能，配合双面散热，进一步提高功率密度。同时，氮矽DX1001驱动器性能处于国际先进水平，也可搭配自家驱动芯片氮矽DX1001配合更多的控制器芯片使用，应用空间广泛。
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