英飞凌推出全新CoolGaN 65W参考设计
3月26日，「2021（春季） USB PD＆Type-C亚洲展」在深圳成功举办，英飞凌全球低功率电源全球市场总监 胡凤平先生发表了《英飞凌氮化镓充电器（GaN Charger）方案》主题演讲，对英飞凌在氮化镓快充领域的产品布局进行了深入的解读。
英飞凌在本次USB PD亚洲展上推出了基于一款PAG1P/S的65W氮化镓参考设计，初级氮化镓开关管采用IGLD60R190D1，PCB尺寸为52*42*22mm，输入滤波电容采用永铭KCX系列电解电容，三颗33μF一颗22μF，合计121μF容量。变压器采用RM10磁芯，这款65W参考设计功率密度达1.35W/cm³。
英飞凌65W氮化镓参考设计一览，变压器次级输出线直接焊接到次级小板上，输出低压固态电容垂直焊接，充分利用空间，高压侧有两级共模电感。
输出侧使用两颗永铭NPX固态电容滤波，470μF25V耐压。电容下方是一颗隔离变压器，PAG1P与PAG1S采用变压器进行隔离通信，避免光耦长时间出现老化，提高适配器寿命。输入侧X电容垫高焊接在保险丝和共模电感上方，充分利用内部空间。
左侧四颗永铭电解用于输入滤波，变压器采用绝缘胶带缠绕绝缘。输出小板垂直焊接，侧面是同步整流管，采用英飞凌BSC0805LS，耐压100V，导阻7mΩ。
英飞凌 BSC0805LS 详细资料。
此方案采用了英飞凌PAG1系列零电压控制套片，兼顾了成本与性能特性：
英飞凌PAG1P与PAG1S套片示意图。PAG1P采用反激方案，PAG1S集成同步整流和协议功能，内部集成VBUS和同步整流驱动。
适配器输入端采用两颗整流桥并联，均摊发热。电路板背面均为初级元件，有初级控制IC和氮化镓开关管。
英飞凌PAG1P初级IC特写，型号为CYPAP111A。采用SO10封装。
英飞凌氮化镓开关管，IGLD60R190D1，600V耐压，导阻190mΩ，采用PG-LSON-8-1封装。焊盘加锡帮助导热。
英飞凌IGLD60R190D1支持超快开关，无反向恢复电荷，可提升系统能效，提升功率密度，支持高频运行，降低系统成本，减小EMI。支持-55-150℃温度范围。英飞凌IGLD60R190D1适用于开关电源，高密度充电器，支持软开关和硬开关，如图腾柱PFC，高频LLC和反激。
英飞凌此次公布的氮化镓充电器方案，兼顾了设计易用性和成本的通用性，可以供广大工程师参考。
峰会预告
7月30日，2021全球第三代半导体快充产业峰会将在深圳举办，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。如有参展需求，请联系邮箱：info@chongdiantou.com
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