又小又薄，新型快充专用小体积碳化硅问市！

‍随着氮化镓快充的发展，大功率多口快充开始普及，100W、120W的快充已经陆续上市，满足消费者多口大功率充电需求，填补市场空白。大功率快充内部需要使用PFC电路来进行功率因数校正，抑制对电网的干扰。

充电器中通常使用主动PFC电路，通过电感Boost电路升压，二极管整流来实现功率因数校正。为了做到小体积大功率输出，PFC电路也采用了氮化镓开关管以提升工作频率，来减小磁性元件的体积。

快恢复二极管的反向恢复时间较长，开关损耗较大，无法满足小体积的高频应用。而碳化硅二极管没有反向恢复电流，非常适合高频下整流应用，配合现在已经广泛应用的氮化镓开关管，强强联合，提高频率降低损耗，从而减小磁性元件体积，提高充电器功率密度。

美浦森针对氮化镓大功率多口快充充电器PFC整流应用，推出了三款不同封装的碳化硅二极管。值得一提的是，美浦森碳化硅二极管已经在大功率快充中大量应用，如MOMAX和REMAX等品牌。

美浦森三款碳化硅二极管封装大小的直观对比，TO252占板面积最大，DFN8*8次之，DFN5*6最小。

首先是时下热门的DFN5*6封装的MSM06065G1碳化硅二极管。

MSM06065G1碳化硅二极管采用DFN5*6封装，超薄封装节省体积，适用于超高功率密度的大功率氮化镓适配器中。

MSM06065G1碳化硅二极管耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作温度范围-55到175℃，正向压降1.3V，并具有正温度系数特性，可直接并联使用。可应用于开关电源，功率因数校正，马达驱动和氙气灯照明应用。

下一款是DFN8*8封装的MSL06065G1碳化硅二极管。

MSL06065G1碳化硅二极管采用DFN8*8封装，超薄封装节省体积，大面积散热焊盘可增强散热能力，适用于不是极致追求功率密度的大功率氮化镓适配器中。

MSL06065G1碳化硅二极管耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作温度范围-55到175℃，正向压降1.4V，并具有正温度系数特性，可直接并联使用。可应用于开关电源，功率因数校正，马达驱动和氙气灯照明应用。

最后是TO-252封装的MSD04065G1碳化硅二极管。

MSD04065G1碳化硅二极管采用TO-252封装，封装较高，适合于功率密度要求不高的电源中使用。

MSD04065G1碳化硅二极管耐压650V，150℃连续正向电流4.8A，工作温度范围-55到175℃，正向压降1.45V，并具有正温度系数特性，可直接并联使用。可应用于开关电源，功率因数校正，马达驱动和氙气灯照明应用。

充电头网总结

碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全功率条件下的效率，相比硅二极管提高效率，降低散热需求，并联器件不会导致热失控，并且几乎没有开关损耗。以上这些优势成就了碳化硅二极管的广泛应用，并逐步取代传统快恢复二极管。

第三代半导体的性能毋庸置疑，在功率密度还是开关频率方面都大大超越常规硅器件，美浦森的碳化硅二极管在充电器内应用，可提高充电器工作频率，减小体积，提高效率提高功率密度，增强充电器产品的竞争力，并且，碳化硅器件的高耐热和高可靠性还提高了充电器的可靠性。‍

峰会预告

7月30日，2021全球第三代半导体快充产业峰会将在深圳举办，届时将有多家氮化镓、碳化硅快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。

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