快充功率器件一站式布局，江智科技MOS应用案例盘点
前言
近年来，消费类电源市场增速迅猛，一方面是 USB PD 快充实现了大规模普及，大功率以及高电压输出对 MOS 器件的耐压、内阻等各维度性能提出了更高的要求。另一方面，随着锂电储能应用的兴起，市场对于锂电保护 MOS、接口保护 MOS 等的需求也更为强烈。
南京江智科技有限公司（JESTEK）是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。拥有一支从业经验15年以上的设计研发团队，在南京红枫工业园拥有完整的封装测试工厂。
江智科技以功率器件为核心，掌握8英寸先进器件设计工艺，持续关注器件电性能提高以及产品的可靠性提高，江智科技通过 ISO9001，ISO14001 体系认证，与国际一流的芯片、封装、测试代工厂保持密切的合作，保证产品的品质可靠和稳定供货。
江智科技的产品以技术和市场的需要为导向，在中低压MOS、超高压产品市场中占有很大的份额，同时注重多元化发展投入，逐步介入并渗透到模拟器件领域。本次充电头网为各位盘点一下江智科技 MOSFET 在快充市场的应用案例。
JST100N30D5G
江智科技推出的 JST100N30D5G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 2.8mΩ（典型值 1.9mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 4.6mΩ（典型值 3.3mΩ），通过 100% UIS 测试。
江智科技 JST100N30D5G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 100A，在 100℃ 下为 63A；脉冲漏极电流最高 400A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 25mJ；容许沟道总功耗 PD 为 42W；热阻 RθJC 为 3℃/W。
江智科技 JST100N30D5G 采用 PDFN5*6-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
JST80N30D3A
江智科技推出的 JST80N30D3A 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 5mΩ（典型值 3.5mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 6.7mΩ）。
江智科技 JST80N30D3A 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 为 55A；脉冲漏极电流最高 220A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 35mJ；容许沟道总功耗 PD 为 85W；热阻 RθJC 为 3.5℃/W。
江智科技 JST80N30D3A 采用 PDFN3.3x3.3-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：GADMEI 100W 2C1A双向快充移动电源
JST60N30D5G
江智科技推出的 JST60N30D5G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 5.2mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 10.2mΩ（典型值 7.5mΩ），通过 100% UIS 测试。
江智科技 JST60N30D5G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 60A，在 100℃ 下为 38.5A；脉冲漏极电流最高 240A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 64mJ；容许沟道总功耗 PD 为 41W；热阻 RθJC 为 3℃/W。
江智科技 JST60N30D5G 采用 PDFN5*6-8L 封装，工作温度 -50℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
JST60N30D3G
江智科技推出的 JST60N30D3G 是一款 N沟道 MOS，耐压 30V。在栅源极电压 VGS 为 10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 6mΩ（典型值 4.8mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 12mΩ（典型值 7.1mΩ），通过 100% UIS 测试。
江智科技 JST60N30D3G 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 60A，在 100℃ 下为 38A；脉冲漏极电流最高 240A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 34mJ；容许沟道总功耗 PD 为 35.7W；热阻 RθJC 为 3.5℃/W。
江智科技 JST60N30D3G 采用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封装，工作温度 -50℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
JST60P30D3
江智科技推出的 JST60P30D3 是一款 P沟道 MOS，耐压 -30V。在栅源极电压 VGS 为 -10V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 7.5mΩ（典型值 5.8mΩ）；在栅源极电压 VGS 为 -4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 不超过 12.6mΩ（典型值 9.0mΩ）。
江智科技 JST60P30D3 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 -45A，在 100℃ 下为 -29A；脉冲漏极电流最高 -180A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 75.7mJ；容许沟道总功耗 PD 为 23W；热阻 RθJC 为 5.4℃/W。
江智科技 JST60P30D3 采用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
JST20P30D3
江智科技推出的 JST20P30D3 是一款 P沟道 MOS，耐压 -30V。在栅源极电压 VGS 为 -10V 下，导通电阻 RDS(on) 小于 11mΩ；在栅源极电压 VGS 为 -4.5V 下，导通电阻 RDS(on) 小于 18mΩ。
江智科技 JST20P30D3 最大栅源电压 VGSS 为 ±20V；连续漏电流 ID 在 25℃ 下为 -35A，在 100℃ 下为 -23A；脉冲漏极电流最高 -140A；单脉冲雪崩击穿能量 EAS 为 78.8mJ；容许沟道总功耗 PD 为 21.5W；热阻 RθJC 为 5.8℃/W。
江智科技 JST20P30D3 采用 PDFNWB3.3*3.3-8L 封装，工作温度 -55℃~150℃，适用于 PWM 控制、负载开关、电源管理等应用场景。
应用案例：
1、拆解报告：德鲁西20000mAh 100W双向快充移动电源
充电头网总结
小型化，大功率，低功耗始终是消费类产品发展的不变的追求和趋势，因此高密度高集成也就成了各个芯片设计公司以及客户孜孜不倦予以突破的技术瓶颈。在 USB PD 技术各种应用领域中 MOSFET 无疑承担了主要的功率分配，也是高密度高集成产品能否实现的核心器件。
面对持续增长的消费类电源市场，南京江智科技已推出数百款针对不同应用场景的 MOSFET 功率器件，为电源厂商的产品开发提供一站式 MOSFET 解决方案，满足电源厂商的多样化需求。
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