北京化工大学何相磊等：氧化锆量子点用于非易失性电阻式随机存取存储器
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关键词：
氧化锆量子点；电阻开关；存储器件；旋涂法| 何相磊，唐睿婕，杨峰，Mayameen S. KADHIM，王洁欣1，蒲源，王丹 单位： 北京化工大学有机无机复合材料国家重点实验室，中国北京市，100029；西南交通大学材料科学与工程学院材料先进技术教育部重点实验室，中国成都市，610031 本文引用格式： Xiang-lei He, Rui-jie Tang, Feng Yang, Mayameen S. Kadhim, Jie-xin Wang, Yuan Pu, Dan Wang, 2019. Zirconia quantum dots for a nonvolatile resistive random access memory device. Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering, 20(12): 1698-1705.https://doi.org/10.1631/FITEE.1900363 |
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Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering（简称FITEE，中文名《信息与电子工程前沿（英文）》，ISSN 2095-9184，CN 33-1389/TP）是信息电子类综合性英文学术月刊，SCI-E、EI收录，最新影响因子1.033。前身为2010年创办的《浙江大学学报英文版C辑：计算机与电子》，2015年更为现名，现为中国工程院信息与电子工程学部唯一院刊。覆盖计算机、信息与通信、控制、电子、光学等领域。文章类型包括研究论文、综述、个人视点、评述等。现任主编为中国工程院院士潘云鹤、卢锡城，实行国际同行评审制，初次转达意见一般在2~3个月内。文章一经录用将快速在线。
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