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本讲座是以美国军方MIL-STD-750之标准为经,以国外功率器件生产厂家所发布的技术规格书为纬。深入地分析了IGBT/MOSFET器件动态参数之机理,逐一研究了其测试方法,本讲座共分为4个课时。本次直播为第四讲。![]()
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直播题目:半导体功率器件动态参数的分析及测试(第四讲)主讲人:梁闻(北京循礼微电子有限公司总经理)
直播时间:2020年02月13日(星期四),下午15:00
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1、参照美军标,按照参数列表datasheet讲解,3、非常适合初学或者有一定基础的朋友们,尤其是对从事IGBT,SiC器件和模块的用户。
梁闻,本科毕业于北京理工大学,获北京航空航天大学工程硕士学位;现任北京循礼微电子有限公司总经理: 梁老师长期从事半导体功率器件动态,静态,热阻,雪崩等参数的测试工作,推广测试技术及测试标准,销售测试设备。也是国内较早研究动态参数的专家之一。
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