六方氮化硼（h-BN）是一种具有高温稳定性和高热导率的层状无机合成晶体。它被广泛用于热管理、热屏蔽、润滑以及结构复合材料的填充材料。从层状范德华晶体中分离原子薄单层的独特性质推动了单层/多层h-BN的研究发展，其可作为纳米电子、隧道势垒、通信、中子探测器、光学、传感、新型分离、缺陷量子发射等的宽带隙绝缘支撑材料。而这些未来应用的实现都离不开高质量的h-BN合成。近日，范德比尔特大学Piran R. Kidambi对六方氮化硼（h-BN）合成的现状和未来应用进行了综述。
本文要点：
1) 作者回顾了高质量单/多层h-BN的合成方法，讨论了每种方法的挑战和机遇。当原子结合生长到层状晶体中时仍可保持化学计量B:N=1的平衡，并能够多层合成过程中保持层间的堆叠顺序，而这也是h-BN合成面临的主要挑战。
2) 解决上述问题的工艺同样也可以为具有一种以上组分元素的其他层状材料的合成提供指导。最后，作者通过技术路线图将h-BN合成工艺与新兴应用的质量要求联系起来。
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参考文献：
Andrew E. Naclerio,Piran R. Kidambi A Review of Scalable Hexagonal Boron Nitride (h-BN) Synthesis for Present and Future Applications Adv. Mater. 2022
DOI: 10.1002/adma.202207374
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202207374